写于 2017-10-02 05:00:02| w88app| 市场
<p>三星催生了“256千兆(GB)5 V 3施加于下一代NAND接口技术在世界上首次NAND(图片)的存储器产品</p><p>通过在世界竞争激烈的记忆产业中保持“超级差距”,它有望巩固其作为全球领导者的地位</p><p>三星“已经商业化了‘3-d CTF细胞’使用了自主研发的三大创新技术,第五第五代的Nand建立90多个世界级的层压技术,”他10日说</p><p> 2016年12月,进入第四代V-NAND的大规模生产仅约一年零七个月</p><p> 5 V三个NAND达到首次下一代NAND接口,应用产品的切换(切换)DDR 4.0规范,并与第四代实施每秒的数据传送速率高达1.4Gb 1.4倍更高</p><p>成比例的级的数目增加至高于30%甚至生产率开发了一种独特的技术用于降低20%的细胞区域的高度进行说明</p><p> 3创新技术以最大化产品的性能和生产率是一个高速,低电压运行,如△△电路设计的高速写入,读出的最短响应等待时间的电路设计△钨原子层薄膜的过程</p><p>公司官员“是在高端存储市场展示一个更差异化的产品和解决方案,迅速成长为及时开发的第五第五代NAND”和“1太比特(TB)的产品,